نتایج جستجو برای: NiO/PVC روش سل ژل ترانزیستور های OFET

تعداد نتایج: 592629  

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2014
علی بهاری امیر حیاتی

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی cmosبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2012

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نانوکامپوزیت هیبریدی آلی به خاطر ویژگی های خوب الکتریکی همچون جریان نشتی پایین و ثابتدی الکتریک بالا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1392

در سال های اخیر ضخامت گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون در تکنولوژی مکمل فلز- اکسید- نیمه رسانا (cmos)، به کم تر از 2 نانومتر رسیده است. مسائلی هم چون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتم بور از گیت دی الکتریک فرا نازک اکسید سیلیکون از نگرانی های عمده برای کاهش ضخامت گیت دی الکتریک می باشند. بنابراین باید به دنبال جایگزینی برای گیت دی الکتریک اکسید سیلیکون باشیم. اخیرا مواد کامپوزی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم 1392

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران - دانشکده علوم پایه 1390

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

Journal: : 2022

هدف: هدف از پژوهش حاضر مقایسۀ واکنش ­پذیری هیجانی و نظریه ذهن کودکان بر اساس سبک ­های ابرازگری مادرانشان بود. روش: روش توصیفی نوع علّی-مقایسه­ ای بود در دو گام به صورت آنلاین انجام رسید. ابتدا با استفاده نمونه ­گیری دسترس، تعداد 105 نفر مادرانی که نمرات آن­ها هر یک پرسشنامه کینگ امونز (1990)، دوسوگرایی (1990) کنترل راجر نشوور (1987) انحراف استاندارد بالاتر میانگین دست آمد (در گروه 35 نفر) دوم وا...

Journal: : 2022

هدف: هدف پژوهش حاضر، ساخت و اعتبار­سنجی سیاهه آسیب‌شناسی روانشناختی نوجوانان در فضای مجازی بود. روش: روش آمیخته اکتشافی (کیفی-کمی) بدین منظور با استفاده از تحلیل مضمون مقالات مصاحبه‌های انجام‌شده متخصصان فعال مجازی، آسیب­ ها شناسایی شدند بر اساس آن ­ای ساخته شد. جامعه آماری بخش کیفی شامل مقالات، اساتید دانشگاه­ های اراک، اصفهان، امام خمینی قزوین شهر اراک بودند که نمونه هدفمند آنها انتخاب کمی بو...

Journal: : 2022

هدف: این پژوهش با هدف ارائه مدل چالش‌های پرورش کودکان کم‌شنوای پیش‌دبستانی از دیدگاه مادران و متخصصان بر اساس نظریه داده‌بنیاد انجام ‌شده است. روش: نمونه 15 مادر کودک کم‌شنوا 4 تا 6 ساله انجمن والدین شهر تهران 5 متخصص حوزه ناشنوا بودند که در سال 1400 استفاده روش نمونه‌گیری هدفمند انتخاب شدند. چالش ­های طریق مصاحبه نیمه ساختاریافته عمیق رسیدن به اشباع نظری جمع‌آوری کدگذاری (کدگذاری باز، محوری ان...

Journal: : 2022

هدف: پژوهش حاضر با هدف بررسی مقایسه اثربخشی گروه درمانی شناختی – رفتاری و ذهن ­آگاهی مبتنی بر شناخت کاهش رفتارهای پرخطر در معتادان ترک افیونی صورت گرفت. روش: روش این شبه آزمایشی طرح پیش آزمون پس همراه کنترل است. جامعه­ی آماری شامل کلیه افراد وابسته به مواد مراجعه کننده مرکز اعتیاد شبکه بهداشت درمان شهرستان سرپل ذهاب نیمه اول سال 1396 بود، نمونه­ گیری دسترس تعداد 36 نفر تشخیص وابستگی اساس معیاره...

Journal: : 2022

هدف: آینده­ نگری مجموعه ­ای از توانایی­ های شناختی است. که شامل پیش­ بینی حالت­ ممکن آینده و نیازهای خود این مهارت برای برنامه­ ریزی، غلبه بر موانع رسیدن به موفقیت افراد کمک می­کند. یکی جدیدترین ابزارهای سنجش توانایی تفکر آینده­نگر در کودکان، مقیاس کودکان (مازاچووسکای مهی، 2020) است ویژگی­ روان­سنجی آن استفاده جمعیت ایرانی مورد مطالعه قرار نگرفته روش: روش پژوهش حاضر توصیفی مقطعی بود. تعداد 200 ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید